Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.01$ | 2.11$ |
5 - 9 | 1.91$ | 2.01$ |
10 - 24 | 1.81$ | 1.90$ |
25 - 49 | 1.42$ | 1.49$ |
50 - 99 | 1.39$ | 1.46$ |
100 - 201 | 1.20$ | 1.26$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.01$ | 2.11$ |
5 - 9 | 1.91$ | 2.01$ |
10 - 24 | 1.81$ | 1.90$ |
25 - 49 | 1.42$ | 1.49$ |
50 - 99 | 1.39$ | 1.46$ |
100 - 201 | 1.20$ | 1.26$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 600V, 2A - IRFRC20PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 18:25.
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