Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95$ | 1.00$ |
5 - 9 | 0.90$ | 0.95$ |
10 - 24 | 0.86$ | 0.90$ |
25 - 49 | 0.81$ | 0.85$ |
50 - 99 | 0.79$ | 0.83$ |
100 - 249 | 0.77$ | 0.81$ |
250 - 2220 | 0.73$ | 0.77$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95$ | 1.00$ |
5 - 9 | 0.90$ | 0.95$ |
10 - 24 | 0.86$ | 0.90$ |
25 - 49 | 0.81$ | 0.85$ |
50 - 99 | 0.79$ | 0.83$ |
100 - 249 | 0.77$ | 0.81$ |
250 - 2220 | 0.73$ | 0.77$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 14A - IRFR024NTRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 17:25.
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