Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.68$	0.71$
5 - 9	0.65$	0.68$
10 - 24	0.61$	0.64$
25 - 49	0.58$	0.61$
50 - 99	0.57$	0.60$
100 - 249	0.55$	0.58$
250 - 330	0.72$	0.76$

Quantité	U.P
1 - 4	0.68$	0.71$
5 - 9	0.65$	0.68$
10 - 24	0.61$	0.64$
25 - 49	0.58$	0.61$
50 - 99	0.57$	0.60$
100 - 249	0.55$	0.58$
250 - 330	0.72$	0.76$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A, DIP-4 - IRFD110PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Boîtier (norme JEDEC): DIP-4. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 02:25.

Documentation technique