Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.70$ | 4.94$ |
| 5 - 9 | 4.47$ | 4.69$ |
| 10 - 24 | 4.33$ | 4.55$ |
| 25 - 49 | 4.23$ | 4.44$ |
| 50 - 99 | 4.14$ | 4.35$ |
| 100 - 249 | 4.00$ | 4.20$ |
| 250 - 560 | 3.86$ | 4.05$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.70$ | 4.94$ |
| 5 - 9 | 4.47$ | 4.69$ |
| 10 - 24 | 4.33$ | 4.55$ |
| 25 - 49 | 4.23$ | 4.44$ |
| 50 - 99 | 4.14$ | 4.35$ |
| 100 - 249 | 4.00$ | 4.20$ |
| 250 - 560 | 3.86$ | 4.05$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 18/06/2025, 23:25.
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