Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.38$	3.55$
5 - 9	3.21$	3.37$
10 - 24	2.53$	2.66$
25 - 49	2.39$	2.51$
50 - 99	2.33$	2.45$
100 - 249	2.28$	2.39$
250 - 277	2.17$	2.28$

Quantité	U.P
1 - 4	3.38$	3.55$
5 - 9	3.21$	3.37$
10 - 24	2.53$	2.66$
25 - 49	2.39$	2.51$
50 - 99	2.33$	2.45$
100 - 249	2.28$	2.39$
250 - 277	2.17$	2.28$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 02:25.

Documentation technique