Transistor canal N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.92$	4.12$
5 - 9	3.73$	3.92$
10 - 24	3.61$	3.79$
25 - 49	3.53$	3.71$
50 - 99	3.45$	3.62$
100 - 249	3.34$	3.51$
250+	3.22$	3.38$

Quantité	U.P
1 - 4	3.92$	4.12$
5 - 9	3.73$	3.92$
10 - 24	3.61$	3.79$
25 - 49	3.53$	3.71$
50 - 99	3.45$	3.62$
100 - 249	3.34$	3.51$
250+	3.22$	3.38$

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Transistor canal N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D. Transistor canal N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.082 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2370pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 124A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB32N20D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 18/06/2025, 16:25.

Documentation technique

Transistor canal N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB31N20D

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