Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W - IRF830PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.92$	2.02$
5 - 9	1.82$	1.91$
10 - 24	1.73$	1.82$
25 - 49	1.63$	1.71$
50 - 99	1.64$	1.72$
100 - 249	1.63$	1.71$
250 - 766	1.56$	1.64$

Quantité	U.P
1 - 4	1.92$	2.02$
5 - 9	1.82$	1.91$
10 - 24	1.73$	1.82$
25 - 49	1.63$	1.71$
50 - 99	1.64$	1.72$
100 - 249	1.63$	1.71$
250 - 766	1.56$	1.64$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W - IRF830PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Boîtier (norme JEDEC): 74W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF830PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 03:25.

Documentation technique