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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF. Transistor canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Température: +105°C. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 03:25.

Documentation technique

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