Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.03$	3.18$
5 - 9	2.88$	3.02$
10 - 24	2.73$	2.87$
25 - 49	2.58$	2.71$
50 - 99	2.52$	2.65$
100 - 249	1.66$	1.74$
250 - 331	1.57$	1.65$

Quantité	U.P
1 - 4	3.03$	3.18$
5 - 9	2.88$	3.02$
10 - 24	2.73$	2.87$
25 - 49	2.58$	2.71$
50 - 99	2.52$	2.65$
100 - 249	1.66$	1.74$
250 - 331	1.57$	1.65$

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 331

Lot de 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.32V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4310pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 23:25.

Documentation technique