Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 21A - IRF7831TRPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.30$	3.47$
5 - 9	3.13$	3.29$
10 - 24	2.97$	3.12$
25 - 49	2.33$	2.45$
50 - 99	2.28$	2.39$
100 - 249	2.22$	2.33$
250 - 2637	2.11$	2.22$

Quantité	U.P
1 - 4	3.30$	3.47$
5 - 9	3.13$	3.29$
10 - 24	2.97$	3.12$
25 - 49	2.33$	2.45$
50 - 99	2.28$	2.39$
100 - 249	2.22$	2.33$
250 - 2637	2.11$	2.22$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 21A - IRF7831TRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 21A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 23:25.

Documentation technique