Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A - IRF7413PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.29$	1.35$
5 - 9	1.23$	1.29$
10 - 24	1.16$	1.22$
25 - 49	1.10$	1.16$
50 - 99	1.07$	1.12$
100 - 249	0.87$	0.91$
250 - 643	0.82$	0.86$

Quantité	U.P
1 - 4	1.29$	1.35$
5 - 9	1.23$	1.29$
10 - 24	1.16$	1.22$
25 - 49	1.10$	1.16$
50 - 99	1.07$	1.12$
100 - 249	0.87$	0.91$
250 - 643	0.82$	0.86$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A - IRF7413PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7413. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 23:25.

Documentation technique