Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
50 - 99 | 2.21$ | 2.32$ |
100 - 249 | 2.16$ | 2.27$ |
250 - 610 | 2.05$ | 2.15$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
50 - 99 | 2.21$ | 2.32$ |
100 - 249 | 2.16$ | 2.27$ |
250 - 610 | 2.05$ | 2.15$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A - IRF7389PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7389. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650/710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 23:25.
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