Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343TRPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.27$	4.48$
5 - 9	4.06$	4.26$
10 - 24	3.85$	4.04$
25 - 49	3.63$	3.81$
50 - 99	3.55$	3.73$
100 - 249	3.46$	3.63$
250 - 9110	3.33$	3.50$

Quantité	U.P
1 - 4	4.27$	4.48$
5 - 9	4.06$	4.26$
10 - 24	3.85$	4.04$
25 - 49	3.63$	3.81$
50 - 99	3.55$	3.73$
100 - 249	3.46$	3.63$
250 - 9110	3.33$	3.50$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A - IRF7343TRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7343. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 23:25.

Documentation technique