Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A - IRF620PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.87$ | 1.96$ |
| 5 - 9 | 1.78$ | 1.87$ |
| 10 - 24 | 1.69$ | 1.77$ |
| 25 - 49 | 1.59$ | 1.67$ |
| 50 - 99 | 1.29$ | 1.35$ |
| 100 - 107 | 1.26$ | 1.32$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.87$ | 1.96$ |
| 5 - 9 | 1.78$ | 1.87$ |
| 10 - 24 | 1.69$ | 1.77$ |
| 25 - 49 | 1.59$ | 1.67$ |
| 50 - 99 | 1.29$ | 1.35$ |
| 100 - 107 | 1.26$ | 1.32$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A - IRF620PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 17:25.
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