Transistor canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.10$	2.21$
5 - 9	2.00$	2.10$
10 - 24	1.89$	1.98$
25 - 49	1.79$	1.88$
50 - 99	1.75$	1.84$
100 - 249	1.57$	1.65$
250 - 395	1.49$	1.56$

Quantité	U.P
1 - 4	2.10$	2.21$
5 - 9	2.00$	2.10$
10 - 24	1.89$	1.98$
25 - 49	1.79$	1.88$
50 - 99	1.75$	1.84$
100 - 249	1.57$	1.65$
250 - 395	1.49$	1.56$

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Transistor canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z. Transistor canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Résistance passante Rds On: 21 milliOhms. C (in): 1770pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, <0.021 Ohms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 17:25.

Documentation technique