Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A - IRF2807SPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.27$ | 4.48$ |
| 5 - 9 | 4.06$ | 4.26$ |
| 10 - 24 | 3.85$ | 4.04$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 73 | 3.55$ | 3.73$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.27$ | 4.48$ |
| 5 - 9 | 4.06$ | 4.26$ |
| 10 - 24 | 3.85$ | 4.04$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 73 | 3.55$ | 3.73$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A - IRF2807SPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F2807S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 15:25.
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