Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 52.18$ | 54.79$ |
2 - 2 | 49.57$ | 52.05$ |
3 - 4 | 46.96$ | 49.31$ |
5 - 9 | 44.35$ | 46.57$ |
10 - 14 | 43.31$ | 45.48$ |
15 - 19 | 42.27$ | 44.38$ |
20 - 50 | 40.70$ | 42.74$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 52.18$ | 54.79$ |
2 - 2 | 49.57$ | 52.05$ |
3 - 4 | 46.96$ | 49.31$ |
5 - 9 | 44.35$ | 46.57$ |
10 - 14 | 43.31$ | 45.48$ |
15 - 19 | 42.27$ | 44.38$ |
20 - 50 | 40.70$ | 42.74$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms - IPB020N10N5LFATMA1. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.
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