Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.76$ | 3.95$ |
5 - 9 | 3.57$ | 3.75$ |
10 - 24 | 3.38$ | 3.55$ |
25 - 49 | 3.19$ | 3.35$ |
50 - 57 | 3.12$ | 3.28$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.76$ | 3.95$ |
5 - 9 | 3.57$ | 3.75$ |
10 - 24 | 3.38$ | 3.55$ |
25 - 49 | 3.19$ | 3.35$ |
50 - 57 | 3.12$ | 3.28$ |
Transistor canal N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V - IPA80R1K0CEXKSA2. Transistor canal N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.
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