Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 16.80$ | 17.64$ |
2 - 2 | 15.96$ | 16.76$ |
3 - 4 | 15.62$ | 16.40$ |
5 - 9 | 15.12$ | 15.88$ |
10 - 14 | 14.78$ | 15.52$ |
15 - 19 | 14.28$ | 14.99$ |
20 - 130 | 13.78$ | 14.47$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 16.80$ | 17.64$ |
2 - 2 | 15.96$ | 16.76$ |
3 - 4 | 15.62$ | 16.40$ |
5 - 9 | 15.12$ | 15.88$ |
10 - 14 | 14.78$ | 15.52$ |
15 - 19 | 14.28$ | 14.99$ |
20 - 130 | 13.78$ | 14.47$ |
Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V - IKW25T120. Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 75A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 22:25.
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