Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
10 - 24 | 2.65$ | 2.78$ |
25 - 49 | 2.50$ | 2.63$ |
50 - 70 | 2.44$ | 2.56$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
10 - 24 | 2.65$ | 2.78$ |
25 - 49 | 2.50$ | 2.63$ |
50 - 70 | 2.44$ | 2.56$ |
Transistor canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - G60N04K. Transistor canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 17:25.
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