Transistor canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD6672A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	5.17$	5.43$
5 - 9	4.91$	5.16$
10 - 24	4.66$	4.89$
25 - 49	4.40$	4.62$
50 - 99	4.29$	4.50$
100 - 249	4.19$	4.40$
250 - 258	4.03$	4.23$

Quantité	U.P
1 - 4	5.17$	5.43$
5 - 9	4.91$	5.16$
10 - 24	4.66$	4.89$
25 - 49	4.40$	4.62$
50 - 99	4.29$	4.50$
100 - 249	4.19$	4.40$
250 - 258	4.03$	4.23$

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Transistor canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD6672A. Transistor canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 8.2M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5070pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 17:25.

Documentation technique