Transistor canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD6296
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.98$ | 5.23$ |
| 5 - 9 | 4.73$ | 4.97$ |
| 10 - 24 | 4.48$ | 4.70$ |
| 25 - 49 | 4.23$ | 4.44$ |
| 50 - 99 | 4.13$ | 4.34$ |
| 100 - 249 | 4.03$ | 4.23$ |
| 250 - 293 | 3.88$ | 4.07$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.98$ | 5.23$ |
| 5 - 9 | 4.73$ | 4.97$ |
| 10 - 24 | 4.48$ | 4.70$ |
| 25 - 49 | 4.23$ | 4.44$ |
| 50 - 99 | 4.13$ | 4.34$ |
| 100 - 249 | 4.03$ | 4.23$ |
| 250 - 293 | 3.88$ | 4.07$ |
Transistor canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD6296. Transistor canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 18:25.
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