Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12$ | 1.18$ |
5 - 9 | 1.06$ | 1.11$ |
10 - 24 | 1.00$ | 1.05$ |
25 - 49 | 0.95$ | 1.00$ |
50 - 99 | 0.93$ | 0.98$ |
100 - 249 | 0.90$ | 0.95$ |
250 - 16500 | 0.86$ | 0.90$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12$ | 1.18$ |
5 - 9 | 1.06$ | 1.11$ |
10 - 24 | 1.00$ | 1.05$ |
25 - 49 | 0.95$ | 1.00$ |
50 - 99 | 0.93$ | 0.98$ |
100 - 249 | 0.90$ | 0.95$ |
250 - 16500 | 0.86$ | 0.90$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 55V, 0.54A - BSS670S2LH6327XTSA1. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 55V, 0.54A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 05:25.
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