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Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4714

Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4714
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.41$ 1.48$
5 - 9 1.33$ 1.40$
10 - 24 1.26$ 1.32$
25 - 49 1.19$ 1.25$
50 - 99 1.17$ 1.23$
100 - 249 1.14$ 1.20$
250 - 884 0.98$ 1.03$
Quantité U.P
1 - 4 1.41$ 1.48$
5 - 9 1.33$ 1.40$
10 - 24 1.26$ 1.32$
25 - 49 1.19$ 1.25$
50 - 99 1.17$ 1.23$
100 - 249 1.14$ 1.20$
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Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4714. Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.

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