Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.45$ | 14.12$ |
2 - 2 | 12.77$ | 13.41$ |
3 - 4 | 12.10$ | 12.71$ |
5 - 9 | 11.43$ | 12.00$ |
10 - 19 | 11.16$ | 11.72$ |
20 - 29 | 10.89$ | 11.43$ |
30+ | 10.49$ | 11.01$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.45$ | 14.12$ |
2 - 2 | 12.77$ | 13.41$ |
3 - 4 | 12.10$ | 12.71$ |
5 - 9 | 11.43$ | 12.00$ |
10 - 19 | 11.16$ | 11.72$ |
20 - 29 | 10.89$ | 11.43$ |
30+ | 10.49$ | 11.01$ |
Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640. Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.73 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 500V. C (in): 950pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2640. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 16:25.
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