Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.60$ | 9.03$ |
2 - 2 | 8.17$ | 8.58$ |
3 - 4 | 7.74$ | 8.13$ |
5 - 9 | 7.31$ | 7.68$ |
10 - 19 | 7.14$ | 7.50$ |
20 - 29 | 6.97$ | 7.32$ |
30 - 51 | 6.71$ | 7.05$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.60$ | 9.03$ |
2 - 2 | 8.17$ | 8.58$ |
3 - 4 | 7.74$ | 8.13$ |
5 - 9 | 7.31$ | 7.68$ |
10 - 19 | 7.14$ | 7.50$ |
20 - 29 | 6.97$ | 7.32$ |
30 - 51 | 6.71$ | 7.05$ |
Transistor canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611. Transistor canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2040pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1.6us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Marquage sur le boîtier: K2611. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 16:25.
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