Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.07$ | 4.27$ |
5 - 9 | 3.87$ | 4.06$ |
10 - 24 | 3.66$ | 3.84$ |
25 - 27 | 3.46$ | 3.63$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.07$ | 4.27$ |
5 - 9 | 3.87$ | 4.06$ |
10 - 24 | 3.66$ | 3.84$ |
25 - 27 | 3.46$ | 3.63$ |
Transistor canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V - 2SK1461. Transistor canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Marquage sur le boîtier: K1461. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 16:25.
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