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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC

Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC
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Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC. Transistor canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 12:25.

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Transistor canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K2545. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui
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Transistor canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 600V. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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