Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84$ | 1.93$ |
5 - 9 | 1.75$ | 1.84$ |
10 - 24 | 1.66$ | 1.74$ |
25 - 49 | 1.57$ | 1.65$ |
50 - 99 | 1.53$ | 1.61$ |
100 - 107 | 1.38$ | 1.45$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84$ | 1.93$ |
5 - 9 | 1.75$ | 1.84$ |
10 - 24 | 1.66$ | 1.74$ |
25 - 49 | 1.57$ | 1.65$ |
50 - 99 | 1.53$ | 1.61$ |
100 - 107 | 1.38$ | 1.45$ |
Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V - IRFU024N. Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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