Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.07$ | 3.22$ |
5 - 9 | 2.92$ | 3.07$ |
10 - 24 | 2.77$ | 2.91$ |
25 - 49 | 2.61$ | 2.74$ |
50 - 63 | 2.60$ | 2.73$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.07$ | 3.22$ |
5 - 9 | 2.92$ | 3.07$ |
10 - 24 | 2.77$ | 2.91$ |
25 - 49 | 2.61$ | 2.74$ |
50 - 63 | 2.60$ | 2.73$ |
Transistor canal N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V - IRFI840G. Transistor canal N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohm 40W. Boîtier: TO-220-F. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 4.6A. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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