Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-09

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.97$	4.17$
5 - 9	3.77$	3.96$
10 - 24	3.57$	3.75$
25 - 49	3.37$	3.54$
50 - 99	3.29$	3.45$
100 - 159	3.21$	3.37$

Quantité	U.P
1 - 4	3.97$	4.17$
5 - 9	3.77$	3.96$
10 - 24	3.57$	3.75$
25 - 49	3.37$	3.54$
50 - 99	3.29$	3.45$
100 - 159	3.21$	3.37$

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Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-09. Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 21:25.

Documentation technique