Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG10N120BND

Quantité	HT	TTC
1 - 1	8.48$	8.90$
2 - 2	8.06$	8.46$
3 - 4	7.63$	8.01$
5 - 9	7.21$	7.57$
10 - 19	7.04$	7.39$
20 - 29	6.87$	7.21$
30 - 47	6.62$	6.95$

Quantité	U.P
1 - 1	8.48$	8.90$
2 - 2	8.06$	8.46$
3 - 4	7.63$	8.01$
5 - 9	7.21$	7.57$
10 - 19	7.04$	7.39$
20 - 29	6.87$	7.21$
30 - 47	6.62$	6.95$

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Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG10N120BND. Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 01/05/2025, 00:25.

Documentation technique