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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1.5A, 60V - BD167

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Transistor NPN, 1.5A, 60V - BD167. Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 05:25.

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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD237. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238
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