Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.75$ | 4.99$ |
5 - 9 | 4.51$ | 4.74$ |
10 - 24 | 4.28$ | 4.49$ |
25 - 49 | 4.04$ | 4.24$ |
50 - 51 | 3.94$ | 4.14$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.75$ | 4.99$ |
5 - 9 | 4.51$ | 4.74$ |
10 - 24 | 4.28$ | 4.49$ |
25 - 49 | 4.04$ | 4.24$ |
50 - 51 | 3.94$ | 4.14$ |
Transistor canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - 2SK4075. Transistor canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 2900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation à courant élevé. Id(imp): 180A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K4075. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: MOSFET DE PUISSANCE, transistor à effet de champ. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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