Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 9.86$ | 10.35$ |
2 - 2 | 9.37$ | 9.84$ |
3 - 4 | 8.87$ | 9.31$ |
5 - 9 | 8.38$ | 8.80$ |
10 - 19 | 8.18$ | 8.59$ |
20 - 20 | 7.99$ | 8.39$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.86$ | 10.35$ |
2 - 2 | 9.37$ | 9.84$ |
3 - 4 | 8.87$ | 9.31$ |
5 - 9 | 8.38$ | 8.80$ |
10 - 19 | 8.18$ | 8.59$ |
20 - 20 | 7.99$ | 8.39$ |
Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V - 2N5109. Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 16:25.
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