Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37$ | 0.39$ |
10 - 24 | 0.35$ | 0.37$ |
25 - 49 | 0.33$ | 0.35$ |
50 - 99 | 0.31$ | 0.33$ |
100 - 249 | 0.30$ | 0.32$ |
250 - 499 | 0.25$ | 0.26$ |
500 - 6617 | 0.23$ | 0.24$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37$ | 0.39$ |
10 - 24 | 0.35$ | 0.37$ |
25 - 49 | 0.33$ | 0.35$ |
50 - 99 | 0.31$ | 0.33$ |
100 - 249 | 0.30$ | 0.32$ |
250 - 499 | 0.25$ | 0.26$ |
500 - 6617 | 0.23$ | 0.24$ |
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - 2N5088. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 14:25.
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