Diode Transil ST02D-82
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.34$ | 4.56$ |
| 5 - 9 | 4.12$ | 4.33$ |
| 10 - 24 | 3.90$ | 4.10$ |
| 25 - 49 | 3.69$ | 3.87$ |
| 50 - 99 | 3.60$ | 3.78$ |
| 100 - 117 | 3.51$ | 3.69$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.34$ | 4.56$ |
| 5 - 9 | 4.12$ | 4.33$ |
| 10 - 24 | 3.90$ | 4.10$ |
| 25 - 49 | 3.69$ | 3.87$ |
| 50 - 99 | 3.60$ | 3.78$ |
| 100 - 117 | 3.51$ | 3.69$ |
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Diode Transil ST02D-82. Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. IF(AV): 1.7A. Tension de claquage: 82V. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 5x4mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 2. Spec info: 200W (t=1ms). Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 01:25.
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Diode Transil. Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Courant de fuite à la ...
Diode Transil. Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 200A. Dissipation de puissance maxi: 1.5 kW. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
Diode Transil. Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 200A. Dissipation de puissance maxi: 1.5 kW. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
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