Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 54W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, 200V, 5.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI640GPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1100pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge. Protection G-S: non. Id(imp): 23A. Idss (min): 25uA. Remarque: Viso 2500V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, 400V, 5.4A, 0.55 Ohms 40W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Boîtier (norme JEDEC): 0.55 Ohms 40W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI740G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohm 40W. Boîtier: TO-220-F. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 4.6A

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, 500V, 4.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI840GPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 6A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, 900V, 1.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 22A, 31A, 31A, 0.024 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 55V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 55V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 55V, 1.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL014N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 60V, 2.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 13 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 11.2A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRFL024NPBF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 55V, 2.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 100V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL110. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 7.7A. Idss (min): 25uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. Marquage sur le boîtier: Fc. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 200V, 0.96A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: Fc. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. RoHS: oui. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Idss (min): 25uA. IGF: 660pF. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 100V, 1.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL4310. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP044N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET

Transistor canal N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2400pF. C (out): 1300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1900pF. C (out): 620pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 94 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V