Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A - NTD20N06LT4G
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
| 5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
| 10 - 24 | 2.71$ | 2.85$ |
| 25 - 49 | 2.20$ | 2.31$ |
| 50 - 99 | 2.15$ | 2.26$ |
| 100 - 249 | 2.08$ | 2.18$ |
| 250 - 4622 | 2.01$ | 2.11$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.94$ | 3.09$ |
| 5 - 9 | 2.80$ | 2.94$ |
| 10 - 24 | 2.71$ | 2.85$ |
| 25 - 49 | 2.20$ | 2.31$ |
| 50 - 99 | 2.15$ | 2.26$ |
| 100 - 249 | 2.08$ | 2.18$ |
| 250 - 4622 | 2.01$ | 2.11$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A - NTD20N06LT4G. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 19:25.
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