Transistor canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - IRFL210

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Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.18$	1.24$
5 - 9	1.12$	1.18$
10 - 24	1.06$	1.11$
25 - 49	1.00$	1.05$
50 - 57	0.98$	1.03$

Quantité	U.P
1 - 4	1.18$	1.24$
5 - 9	1.12$	1.18$
10 - 24	1.06$	1.11$
25 - 49	1.00$	1.05$
50 - 57	0.98$	1.03$

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Transistor canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V - IRFL210. Transistor canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. Idss (min): 25uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. Marquage sur le boîtier: Fc. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 03/05/2025, 21:25.

Documentation technique