Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V - IPI80N06S2-08

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.93$	4.13$
5 - 9	3.73$	3.92$
10 - 24	3.54$	3.72$
25 - 49	3.34$	3.51$
50 - 99	3.26$	3.42$
100 - 249	3.18$	3.34$
250 - 476	3.03$	3.18$

Quantité	U.P
1 - 4	3.93$	4.13$
5 - 9	3.73$	3.92$
10 - 24	3.54$	3.72$
25 - 49	3.34$	3.51$
50 - 99	3.26$	3.42$
100 - 249	3.18$	3.34$
250 - 476	3.03$	3.18$

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Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V - IPI80N06S2-08. Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 215W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 18:25.

Documentation technique