Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 7.35$ | 7.72$ |
5 - 9 | 6.98$ | 7.33$ |
10 - 24 | 6.76$ | 7.10$ |
25 - 44 | 6.47$ | 6.79$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.35$ | 7.72$ |
5 - 9 | 6.98$ | 7.33$ |
10 - 24 | 6.76$ | 7.10$ |
25 - 44 | 6.47$ | 6.79$ |
Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7 - IPB014N06NATMA1. Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 22:25.
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