Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	362.77$	380.91$
2 - 2	344.63$	361.86$
3 - 4	326.49$	342.81$
5 - 9	308.35$	323.77$
10 - 14	301.10$	316.16$
15 - 19	293.84$	308.53$
20+	290.21$	304.72$

Quantité	U.P
1 - 1	362.77$	380.91$
2 - 2	344.63$	361.86$
3 - 4	326.49$	342.81$
5 - 9	308.35$	323.77$
10 - 14	301.10$	316.16$
15 - 19	293.84$	308.53$
20+	290.21$	304.72$

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

En rupture de stock

Lot de 1

Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Nombre de connexions: 35. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 06:25.