Circuit intégré mémoire DS1307Z-T-R
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.99$ | 6.29$ |
| 5 - 9 | 5.69$ | 5.97$ |
| 10 - 24 | 5.39$ | 5.66$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 99 | 3.54$ | 3.72$ |
| 100 - 900 | 3.33$ | 3.50$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.99$ | 6.29$ |
| 5 - 9 | 5.69$ | 5.97$ |
| 10 - 24 | 5.39$ | 5.66$ |
| 25 - 49 | 3.63$ | 3.81$ |
| 50 - 99 | 3.54$ | 3.72$ |
| 100 - 900 | 3.33$ | 3.50$ |
Circuit intégré mémoire DS1307Z-T-R. Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: SRAM +RTC. Famille de circuits mémoire: DS13. Taille de la mémoire [octet]: 64 Byte. Configuration de la mémoire: 64x8-bit. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100kHz. Type d'interface: interface série, bus I2C. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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