Transistor canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545A

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.93$	0.98$
10 - 24	0.89$	0.93$
25 - 49	0.84$	0.88$
50 - 99	0.79$	0.83$
100 - 249	0.77$	0.81$
250 - 499	0.76$	0.80$
500 - 2868	0.72$	0.76$

Quantité	U.P
1 - 9	0.93$	0.98$
10 - 24	0.89$	0.93$
25 - 49	0.84$	0.88$
50 - 99	0.79$	0.83$
100 - 249	0.77$	0.81$
250 - 499	0.76$	0.80$
500 - 2868	0.72$	0.76$

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Transistor canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545A. Transistor canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 6.5mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 20*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.2V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 12:25.

Documentation technique