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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD435

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD435
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V - BD435. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V, 45V, TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V, 45V, TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD438. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V
BD439
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): SOT-32. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD440. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V
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