Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.48$ | 0.50$ |
10 - 24 | 0.46$ | 0.48$ |
25 - 49 | 0.43$ | 0.45$ |
50 - 99 | 0.33$ | 0.35$ |
100 - 249 | 0.32$ | 0.34$ |
250 - 499 | 0.31$ | 0.33$ |
500 - 4760 | 0.30$ | 0.32$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.48$ | 0.50$ |
10 - 24 | 0.46$ | 0.48$ |
25 - 49 | 0.43$ | 0.45$ |
50 - 99 | 0.33$ | 0.35$ |
100 - 249 | 0.32$ | 0.34$ |
250 - 499 | 0.31$ | 0.33$ |
500 - 4760 | 0.30$ | 0.32$ |
Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD139-16. Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 12:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.