Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.96$ | 2.06$ |
10 - 24 | 1.86$ | 1.95$ |
25 - 49 | 1.76$ | 1.85$ |
50 - 99 | 1.72$ | 1.81$ |
100 - 140 | 1.68$ | 1.76$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.96$ | 2.06$ |
10 - 24 | 1.86$ | 1.95$ |
25 - 49 | 1.76$ | 1.85$ |
50 - 99 | 1.72$ | 1.81$ |
100 - 140 | 1.68$ | 1.76$ |
Transistor canal P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - AOD403. Transistor canal P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 65A. Idss (min): 0.01uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 20:25.
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