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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699

Transistor canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699
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1 - 4 6.46$ 6.78$
5 - 9 6.14$ 6.45$
10 - 24 5.82$ 6.11$
25 - 49 5.49$ 5.76$
50 - 99 5.36$ 5.63$
100 - 197 5.04$ 5.29$
Quantité U.P
1 - 4 6.46$ 6.78$
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10 - 24 5.82$ 6.11$
25 - 49 5.49$ 5.76$
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Lot de 1

Transistor canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699. Transistor canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K2699. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 14:25.

Documentation technique

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STW13NK60Z
Transistor canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Tension drain - source (Vds): 600V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Nombre de connexions: 3. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui
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Transistor canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 3900pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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