Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.69$ | 4.92$ |
5 - 9 | 4.45$ | 4.67$ |
10 - 24 | 4.22$ | 4.43$ |
25 - 49 | 3.98$ | 4.18$ |
50 - 99 | 3.89$ | 4.08$ |
100 - 249 | 3.80$ | 3.99$ |
250+ | 3.66$ | 3.84$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.69$ | 4.92$ |
5 - 9 | 4.45$ | 4.67$ |
10 - 24 | 4.22$ | 4.43$ |
25 - 49 | 3.98$ | 4.18$ |
50 - 99 | 3.89$ | 4.08$ |
100 - 249 | 3.80$ | 3.99$ |
250+ | 3.66$ | 3.84$ |
Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SD2499. Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 00:25.
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